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采用透射电镜(TEM)定位观察了室温单晶硅显微压痕表面的微观信息.发现了为数不少的位错圈、堆垛层错、扩展位错及压杆位错、位错偶等多种组态.尽管产生的原因各异，但均为最终的低能稳定组态.位错的存在和运动表明常温下单晶硅的压痕缺口附近产生塑性变形.
室温下单晶硅显微压痕表面位错组态的TEM观察
【摘 要】
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采用透射电镜(TEM)定位观察了室温单晶硅显微压痕表面的微观信息.发现了为数不少的位错圈、堆垛层错、扩展位错及压杆位错、位错偶等多种组态.尽管产生的原因各异，但均为最终
【机 构】
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福州大学材料科学与工程学院
【出 处】
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福州大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2001年2期
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