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低阈值半导体激光器的能带结构工程
低阈值半导体激光器的能带结构工程
来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wsx19810518
【摘 要】
:
本文指出了用应变层超点阵作为量子阱半导体激光器的有源区可以降低激光器的阈值电流,同时可以有效地消除Auger复合、价带间的吸收。比较分析了应变层有源区的激光器能带结构
【作 者】
:
陈其道
【机 构】
:
重庆光电技术研究所重庆永川632163
【出 处】
:
半导体光电
【发表日期】
:
1991年2期
【关键词】
:
半导体激光器
能带结构
激光器
Fermi Level
Density of State
Band--structure Engineering
Quan
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本文指出了用应变层超点阵作为量子阱半导体激光器的有源区可以降低激光器的阈值电流,同时可以有效地消除Auger复合、价带间的吸收。比较分析了应变层有源区的激光器能带结构和非应变层有源区激光器能带结构。
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