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硅片的超精密磨削技术主要用于硅片制备中的硅片平整化和Ic后道制程中的背面减薄。随着硅片直径的增大和厚度的减小，硅片超精密磨削技术及设备面临新的挑战：大的进给速度调速范围和高的进给稳定性，对磨床进给系统的结构特性和运动性能提出了较高要求；硅片在磨削中容易翘曲变形，磨削面型精度难以保证；硅片原始厚度的增大和芯片磨后厚度的减小趋势，使硅片表面磨削的材料去除量增大，提高加工效率成为一个亟待解决的问题；硅片减薄后，其表面质量和加工变形对磨削力的变化更加敏感，监控磨削力以提高成品率的问题亟待解决。面向大尺寸薄硅片的超