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本文用直线法分析了具有半绝缘衬底和ｎ＾＋重掺杂外延层的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体行波调制器中共平面波电极的微波特性。首先指出了在这种共平面微波带经事奇对称模和偶对称模的不同作用，由此详细地分析了调制器各结构参数对奇对称模特性的作用。
Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体行波调制器共平面电极微波特性的分析
【摘 要】
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本文用直线法分析了具有半绝缘衬底和ｎ＾＋重掺杂外延层的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体行波调制器中共平面波电极的微波特性。首先指出了在这种共平面微波带经事奇对称模和偶对称模的不同作
【机 构】
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浙江大学信息与电子工程学系
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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1997年8期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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