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报道了利用As4作为掺杂源获得原位As掺杂MBE HgCdTe材料的研究结果.利用高温退火技术激活As使其占据Te位形成受主.对原位As掺杂MBE HgCdTe材料进行SIMS及Hall测试,证实利用原位As掺杂及高温退火可获得P型MBE HgCdTe材料.
分子束外延HgCdTe薄膜As掺杂P型激活研究
【摘 要】
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报道了利用As4作为掺杂源获得原位As掺杂MBE HgCdTe材料的研究结果.利用高温退火技术激活As使其占据Te位形成受主.对原位As掺杂MBE HgCdTe材料进行SIMS及Hall测试,证实利用原
【机 构】
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中科院上海技术物理研究所
【出 处】
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红外与毫米波学报
【发表日期】
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2005年2期
【基金项目】
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the National Natural Science Foundation of China
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