化学气相沉积SiO2/S复合涂层的热力学分析

来源 :理化检验-化学分册 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yjyu2012

【摘要】

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以二甲基二硫化物(DMDS)和正硅酸乙酯(TEOS)为反应物在25Cr35Ni合金基体上化学气相沉积SiO2/S复合涂层.应用热力学势函数法对SiO2与S的生成反应以及反应产物之间的化学反应进

【作者】

：

周建新徐宏 QI Xue-gui 戚学贵刘阿龙奚运涛

【机构】

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华东理工大学化工机械研究所,上海,200237西北工业大学航空学院,西安,710072;

【出处】

：

理化检验-化学分册

【发表日期】

：

2008年5期

【关键词】

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化学气相沉积(CVD) SiO2/S复合涂层热力学

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以二甲基二硫化物(DMDS)和正硅酸乙酯(TEOS)为反应物在25Cr35Ni合金基体上化学气相沉积SiO2/S复合涂层.应用热力学势函数法对SiO2与S的生成反应以及反应产物之间的化学反应进行了热力学计算和分析,并对化学气相沉积源物质的配比选择进行了讨论.结果表明:常压下选取预热温度773 K、沉积温度1 023 K以及适当配比的源物质化学气相沉积SiO2/S复合涂层是可行的.

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