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以Ｐ型为Ｓｉ片为例，给出了连续ＣＯ２激光吸收率β（Ｔ），吸收系数α（Ｔ）和反射率Ｒ（Ｔ）与温度的关系，利用这些关系给出了ＣＯ２激光退火最佳预热温度的理论计算方法。
半导体进行激光退火时预热温度的计算
【摘 要】
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以Ｐ型为Ｓｉ片为例，给出了连续ＣＯ２激光吸收率β（Ｔ），吸收系数α（Ｔ）和反射率Ｒ（Ｔ）与温度的关系，利用这些关系给出了ＣＯ２激光退火最佳预热温度的理论计算方法。
【机 构】
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沈阳大学,沈阳工业大学
【出 处】
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沈阳工业大学学报
【发表日期】
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1998年1期
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