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采用直流磁控溅射镀膜技术,在硅片上以不同的工艺参数（如溅射功率、工作气压）制备钛薄膜。通过单因素试验研究了溅射功率和工作气压对钛薄膜沉积速率、电阻率的影响,并利用扫描电子显微镜观察薄膜样品截面,获得了制备低电压起爆的复合含能桥膜的最佳工艺参数。
钛薄膜制备工艺及物理特性研究
【摘 要】
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采用直流磁控溅射镀膜技术,在硅片上以不同的工艺参数（如溅射功率、工作气压）制备钛薄膜。通过单因素试验研究了溅射功率和工作气压对钛薄膜沉积速率、电阻率的影响,并利用扫描
【机 构】
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陕西省薄膜技术与光学测试重点实验室西安工业大学光电工程学院
【出 处】
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火工品
【发表日期】
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2015年4期
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