【摘 要】
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A facile approach was demonstrated for fabricating high-performance nonvolatile memory devices based on ferroelectric-gate field effect transistors using a p-ty
【机 构】
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Department of Physics, Institute of Basic Sciences,Sungkyunkwan University,School of Advanced Materi
【出 处】
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Nano-Micro Letters
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A facile approach was demonstrated for fabricating high-performance nonvolatile memory devices based on ferroelectric-gate field effect transistors using a p-type Si nanowire coated with omega-shaped gate organic ferroelectric poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)(P(VDF-Tr FE)). We overcame the interfacial layer problem by incorporating P(VDF-Tr FE) as a ferroelectric gate using a low-temperature fabrication process. Our memory devices exhibited excellent memory characteristics with a low programming voltage of ±5 V, a large modulation in channel conductance between ON and OFF states exceeding 105, a long retention time greater than 3 9 104 s, and a high endurance of over 105 programming cycles while maintaining an ION/IOFFratio higher than 102.
A facile approach was demonstrated for fabricating high-performance nonvolatile memory devices based on ferroelectric-gate field effect transistors using a p-type Si nanowire coated with omega-shaped gate organic ferroelectric poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) (P (VDF-Tr FE We overcame the interfacial layer problem by incorporating P (VDF-Tr FE) as a ferroelectric gate using a low-temperature fabrication process. Our memory devices exhibit excellent memory characteristics with a low programming voltage of ± 5 V, a large modulation in channel conductance between ON and OFF states exceeding 105, a long retention time greater than 3 9 104 s, and a high endurance of over 105 programming cycles while maintaining an ION / IOFFratio higher than 102.
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