体偏置对SOI CMOS器件单粒子瞬态特性的影响

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zangye

【摘要】

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【作者】

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宋文斌王莉宗杨毕津顺韩郑生

【出处】

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功能材料与器件学报

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

：

绝缘体上硅单粒子瞬态衬底偏置归一化电荷线性能量转移

【基金项目】

：

国家自然科学基金项目(51335002,51272033)

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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技术领域,包括主机、控制电路和计算机三部分组成,主机包括由棱镜。敏感膜敏感芯片、半导 Ue*M#

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