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本文从理论上解释了由半导体晶粒间的绝缘晶界以及晶界两侧的SI结和IS结势垒三者组成的晶界层电容,在低偏压下的C-V特性.指出了绝缘晶界和结势垒对C-V特性的不同影响,分析了高偏压下C-V和I-V特性相关性的物理本质.
晶界层电容器的C—V特性
【摘 要】
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本文从理论上解释了由半导体晶粒间的绝缘晶界以及晶界两侧的SI结和IS结势垒三者组成的晶界层电容,在低偏压下的C-V特性.指出了绝缘晶界和结势垒对C-V特性的不同影响,分析了
【机 构】
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广州师范学院物理系
【出 处】
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压电与声光
【发表日期】
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1990年4期
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