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利用脉冲激光沉积方法制备了ZrO2纳米晶基电荷俘获型存储器件，并系统研究了纳米晶尺寸及密度对器件存储性能的影响。利用高分辨透射电子显微（HRTEM）技术表征了（ZrO2）0.6（SiO2）。薄膜的形貌及纳米晶尺寸。研究结果表明60s退火处理的存储器件具有最佳的存储窗口（4．4V）和数据保持能力（～5％）。