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探讨了加固型ＣＣ４００７经＾６０Ｃｏγ射线辐照后ＮＭＯＳ晶体管的退火特性，研究了辐照敏感参数随辐照剂量、退火温度、退火时间和退火偏置的变化关系。经相同总剂量辐照的器件，高源１００℃下的退火速度远大于室温２５℃下退火速度。２５￣２５０℃下的等时退火，其退火程度接近１６８ｈ的１００℃等温退火。对不同的退火情况，退火偏置的作用是相似的，＋５Ｖ栅偏压退火速度大于０Ｖ栅偏压和浮空退火速度。对氧化物陷阱电荷的