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在室温下,通过光致发光实验研究了用MBE生长的GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格材料的光致发光特性,对测得的发光峰进行了指认.理论计算和实验结果符合很好.
掺杂GaAs／Al0．3Ga0．7As超晶格的光致发光特性分析
【摘 要】
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在室温下,通过光致发光实验研究了用MBE生长的GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格材料的光致发光特性,对测得的发光峰进行了指认.理论计算和实验结果符合很好.
【机 构】
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山东大学,中国科学院
【出 处】
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真空电子技术
【发表日期】
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2005年3期
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