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研制并测量了ｐｏｌｙ－Ｓｉ（ｎ＾＋）／ＵＴＩ／ｎ－Ｓｉ隧道结发射极双极反型沟道场效应晶体管（ＢＩＣＦＥＴ）。发现在极低电流下，此器件的小信号电流增益（Ｇ）超过１０＾６。本文对此作了新的解释。
超高电流增益多晶硅发射极BICFET的研制与特性
【摘 要】
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研制并测量了ｐｏｌｙ－Ｓｉ（ｎ＾＋）／ＵＴＩ／ｎ－Ｓｉ隧道结发射极双极反型沟道场效应晶体管（ＢＩＣＦＥＴ）。发现在极低电流下，此器件的小信号电流增益（Ｇ）超过１０＾６。本文对此作了新的解释。
【机 构】
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天津大学电子工程系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1997年4期
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