低能质子辐射硬质硼硅玻璃的模拟计算

来源 :哈尔滨工业大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:squllwu20090907
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为获得低能质子辐射时硬质硼硅玻璃的损伤特征,利用蒙特卡罗(MC)计算程序——SRIM模拟了入射质子在硬质硼硅玻璃中产生的电离和非电离能损.模拟结果表明:能量为40~200keV的质子损伤主要发生在表面;电离能损是能量损失的主要形式,峰值能量为80keV;非电离能损随能量降低而增大,导致氧、硅和硼等空位型缺陷的产生;空位分布与声子分布及慢化质子的沉积相同,均满足Bragg峰型分布特性.40~200keV质子的电离和非电离能损均会导致硬质硼硅玻璃微观结构的变化.
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