【摘 要】
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利用脉冲激光沉积(PLD)的方法,在750℃的生长温度,不同的氧气气氛下(6.6×10-4Pa~50Pa)制备了LaTi O3+x(LTO)薄膜.反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监测表明我们所制备的薄膜
【机 构】
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四川大学材料科学与工程学院,中国科学院物理研究所超导国家重点实验室
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利用脉冲激光沉积(PLD)的方法,在750℃的生长温度,不同的氧气气氛下(6.6×10-4Pa~50Pa)制备了LaTi O3+x(LTO)薄膜.反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监测表明我们所制备的薄膜表面平整光滑,面内取向较好.X射线衍射(XRD)数据表明:LaTi O3+x薄膜特征峰的位置随生长氧压的变化而发生变化.当氧压增大时,衍射峰对应的2θ角减小,并且在中间氧压时,衍射峰宽化.我们认为氧压增大,使得薄膜中氧含量增加.随着x值的增加,薄膜的电输运性能发生显著改变.在高真空度条件下生长的薄膜表现出很强的金属性,当氧压增加时,材料的电阻率显著增大.实验中测量的所有样品的电阻率都保持正的温度系数,并且在一个相当大的温度区间内与温度的平方呈线性关系.
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