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作为一种在软磁材料中发现的高灵敏交流磁阻抗效应，巨磁阻抗效应的强弱不可避免地要受到各种因素的影响，其中材料微观结构以及交流信号频率等的影响是不可忽略的。本文在对ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ薄膜的工作中发现；ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ薄膜的ΔＺ／│Ｚ│变化基本与其实部ΔＲ／Ｒ０的变化趋势相吻合，阻抗虚部Ｘ的绝对值和影响较小。