30伏P沟VDMOS场效应管的设计

来源 :辽宁大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：donny0325

【摘要】

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对于IRF7705型30伏P沟VDMOSFET进行了结构优化设计.给出了该器件的纵向结构和横向结构参数及材料的物理参数.较系统地分析了VDMOSFET的几个重要参数,重点讨论了P沟VDMOSFET的

【作者】

：

王中文胡雨石广源

【机构】

：

辽宁大学物理学院

【出处】

：

辽宁大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2007年03期

【关键词】

：

VDMOSFET 参数设计 P沟.

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对于IRF7705型30伏P沟VDMOSFET进行了结构优化设计.给出了该器件的纵向结构和横向结构参数及材料的物理参数.较系统地分析了VDMOSFET的几个重要参数,重点讨论了P沟VDMOSFET的外延层电阻率、外延层厚度、N体区扩散浓度以及各个参数之间的关系,对该类器件的实际生产有一定的指导作用.

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