【摘 要】
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针对双向可控硅（DDSCR）器件的静电放电（ESD）鲁棒性,提出在N阱中加入N＋注入区（DDSCR_N＋）和在N阱中加入P＋注入区（DDSCR_P＋）2种改进型DDSCR结构,采用华润上华0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS（BCD）工
【机 构】
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中国科学技术大学信息科学技术学院,中国科学院自动化研究所国家专用集成电路设计工程技术研究中心
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针对双向可控硅（DDSCR）器件的静电放电（ESD）鲁棒性,提出在N阱中加入N＋注入区（DDSCR_N＋）和在N阱中加入P＋注入区（DDSCR_P＋）2种改进型DDSCR结构,采用华润上华0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS（BCD）工艺,分别制备传统DDSCR结构以及2种改进型DDSCR结构,通过半导体工艺及器件模拟工具（TCAD）进行仿真,分析不同结构的电流密度和ESD鲁棒性差异;流片后通过传输线脉冲测试（TLP）方法测试不同结构ESD防护器件特性.仿真和测试结果表明,改进型DDSCR_N＋
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