【摘 要】
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用烧结ZnS·Ag蓝色荧光粉靶在钇铝柘榴石单晶基片上射频溅射制取了ZnS·Ag蓝色发光薄膜。讨论了基片温度及放电气体中H2 S的含量对薄膜发光特性的影响。实验表明 ,基片加热温
【机 构】
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用烧结ZnS·Ag蓝色荧光粉靶在钇铝柘榴石单晶基片上射频溅射制取了ZnS·Ag蓝色发光薄膜。讨论了基片温度及放电气体中H2 S的含量对薄膜发光特性的影响。实验表明 ,基片加热温度应控制在 50 0℃左右 ,放电气体中H2 S含量应控制在 0 2 %左右 ,所制得的薄膜具有和P2 2 B1荧光粉相同的发光光谱。
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