【摘 要】
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由于纳米尺度流道加工过程中存在工艺复杂、效率低等缺点,限制了微纳流控芯片在纳米尺度下流体特性研究领域的应用。针对此问题,提出利用氮化硼纳米管作为纳流道集成到微纳流
【机 构】
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吉林大学仪器科学与电气工程学院,中国科学院重庆绿色智能技术研究院
【基金项目】
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国家自然科学基金青年科学基金资助项目(51503206,41603089,61701474)
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由于纳米尺度流道加工过程中存在工艺复杂、效率低等缺点,限制了微纳流控芯片在纳米尺度下流体特性研究领域的应用。针对此问题,提出利用氮化硼纳米管作为纳流道集成到微纳流控芯片中的方法,并对芯片的离子输运性能进行测试。在微纳流控芯片制作过程中,结合SU-8厚胶光刻工艺与PDMS键合技术,使附着在Si/SiO2基底上的氮化硼纳米管连接两个储液槽。实验结果表明,本方法加工出的芯片微流道深度为（15±0.3）μm,纳流道长度为28.12μm,直径为148nm。此外,浓度高于100mmol/L的KCl溶液注入芯片后,在氮化硼纳米管内达到离子平衡至少需要3h,离子电导与浓度之间存在Gionic～c0.43的非线性关系。
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