【摘 要】
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采用金属有机化学气相沉积技术,利用自催化法,在Si（100）、（111）衬底上成功生长了InP纳米线。利用扫描电镜观察样品表面,在Si（100）、（111）衬底上生长的纳米线形貌相似,纳米线面密度不
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,中国科学院研究生院
【基金项目】
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国家自然科学基金（50972141,50632060）资助项目
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采用金属有机化学气相沉积技术,利用自催化法,在Si（100）、（111）衬底上成功生长了InP纳米线。利用扫描电镜观察样品表面,在Si（100）、（111）衬底上生长的纳米线形貌相似,纳米线面密度不同。利用X射线衍射和透射电镜研究纳米线的生长取向和晶体结构,结果显示纳米线具有闪锌矿结构,生长方向〈111〉,并且具有层状孪晶结构。与InP体材料相比,纳米线的光致发光峰位蓝移,半峰全宽增大,拉曼散射TO和LO峰向低波数频移,频移随激发光功率减弱而减小。
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