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针对制造高压晶闸管p型杂质扩散工艺的不足,进行了开管式受主双质掺杂技术的研究,通过大量试验和工艺论证,研制成一种气(Ga)-固(Al掺杂氧化物)-固(Si)掺杂新工艺,经应用证明,该掺杂技术能明显提高器件的电参数一致性、综合性能和成品率,为电力半导体器件研究和生产开辟了一条可行的受主双质掺杂新工艺。