边界热阻相关论文
氮化镓材料作为第三代宽禁带半导体的代表材料之一,具有高热导率、高击穿场强、高电子迁移率等优秀的特性,GaN HEMT器件被广泛应用......
超导纳米线在各类超导热响应探测器中得到广泛应用。超导纳米线响应光子后由超导态转变为电阻态产生热效应是这类探测器的关键机制......
SOI(SiliconOnInsulator)器件由于减小了寄生电容和具有良好的驱动能力，被认为是一种很有希望的器件。然而由于低热导率埋氧层(比硅......
目前占据市场主流的FLASH存储器面临难以进一步缩小尺寸、功耗大、工艺成本高、可靠性不甚理想以及系统集成难度大等众多技术难点，......
介绍了超微银粉烧结过程,并且给出了用BET等温吸附方法测量烧结物表面积的结果....
提出了一种简单、有效而且准确的测量SOI硅片埋氧层垂直方向热导率的方法，并采用这种方法测量了用SIMOX工艺制作的SOI硅片的埋氧层......
