【摘 要】
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采用直流反应磁控溅射方法,通过改变衬底温度并优化生长参数,在玻璃衬底上生长了In-N共掺p型ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)测试表明,所得薄膜结晶性能良好,且具有很好的c轴择优取
【机 构】
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采用直流反应磁控溅射方法,通过改变衬底温度并优化生长参数,在玻璃衬底上生长了In-N共掺p型ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)测试表明,所得薄膜结晶性能良好,且具有很好的c轴择优取向。Hall测试的结果所得p型ZnO薄膜最低电阻率为35.6Ω·cm,霍尔迁移率为0.111cm2·V-1·s-1,空穴浓度为1.57×1018cm-3。X光电子能谱(XPS)测试表明,铟元素已有效地掺入了ZnO薄膜中,且铟元素有效地促进了氮元素的掺入。紫外可见(UV)透射谱测试表明,在可见光范围内所有薄膜透光率均可达90%。
In-N co-doped p-type ZnO thin films were grown on glass substrates by DC reactive magnetron sputtering method by changing the substrate temperature and optimizing the growth parameters. X-ray diffraction (XRD) tests show that the obtained films have good crystallinity and good c-axis preferred orientation. As a result of the Hall test, the lowest resistivity of the p-type ZnO thin film was 35.6 Ω · cm, the Hall mobility was 0.111 cm 2 · V-1 · s-1, and the hole concentration was 1.57 × 10 18 cm -3. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) tests show that indium has been effectively incorporated into ZnO films, and indium has effectively promoted the incorporation of nitrogen. Ultraviolet (UV) transmission spectroscopy tests show that all films transmit light in the visible range up to 90%.
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