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本文提出了一个由低能电子衍射能带理论计算所确-定的,在Cu(001)表面的4重对称空隙上吸附Te原子的吸附层模型。原子层间距d_1=1.633±0.004,d_2=1.943±0.007(膨胀7.6％±0.007)。
用低能电子衍射研究Cu（001）表面吸附碲的表面原子结构
【摘 要】
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本文提出了一个由低能电子衍射能带理论计算所确-定的,在Cu(001)表面的4重对称空隙上吸附Te原子的吸附层模型。原子层间距d_1=1.633±0.004,d_2=1.943±0.007(膨胀7.
【机 构】
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成都电讯工程学微电子技术系,成都电讯工程学微电子材料系
【出 处】
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原子与分子物理学报
【发表日期】
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1991年3期
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