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随着VLSI工艺技术的深入发展，一些与形貌相关的问题逐渐成为了制约其发展的主要因素，微细线条光刻中聚焦深度限制、条宽控制、溅射沉积膜的台阶覆盖以及刘蚀时边缘残留下的陡峭形貌都非常需要表面平坦化，与此同时，浅结、薄栅氧及短沟器件对在传统的双层金属工艺及材料中应力引起的漏电流及热载流子下降等效应都变得极其敏感，当器件几何尺寸缩至亚微米后，此类问题就变得更为突出。AT＆TBell实验室开发了一种0．9μm的CMOSI艺技术（双阱V），该工艺技术克服了我们上面提及的难点，同时保证了工艺的简单性及高成品率，它是为5