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采用基于密度泛函理论（DFT）框架下局域密度近似平面波超软赝势法,计算了纤锌矿ZnO的晶格常数、弹性模量、能带结构和态密度。理论预测ZnO是一种直接禁带半导体材料,导带底和价带顶都位于布里渊区中心G点处。计算结果与其他文献结果吻合较好,为ZnO光电材料的设计与应用提供了理论依据。
ZnO晶格常数优化和电子结构的第一性原理研究
【摘 要】
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采用基于密度泛函理论（DFT）框架下局域密度近似平面波超软赝势法,计算了纤锌矿ZnO的晶格常数、弹性模量、能带结构和态密度。理论预测ZnO是一种直接禁带半导体材料,导带底和价
【机 构】
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湖南工业大学理学院
【出 处】
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湖南工业大学学报
【发表日期】
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2012年4期
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