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为了与日益提高的输出功率同步配合,电源设计者在不断尝试新的方法来提高功率密度,其中一种新颖的方法就是采用双面冷却的DirectFET技术.其硅衬底直接压到PCB上,结构类似于目前广泛应用在DC/DC转换器中的场效应管,源极和栅极在硅衬底的一侧,漏极在另一侧或者底层.
DirectFET MOSFET有助于提高同步降压变换器功率密度
【摘 要】
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为了与日益提高的输出功率同步配合,电源设计者在不断尝试新的方法来提高功率密度,其中一种新颖的方法就是采用双面冷却的DirectFET技术.其硅衬底直接压到PCB上,结构类似于目
【机 构】
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国际整流器公司
【出 处】
：
电子设计应用
【发表日期】
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2003年10期
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