【摘 要】
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本文简述了等离子氧化技术,这是国外近年来研究的一种低温、干法氧化工艺。它对于硅和化合物半导体的氧化有着独特的优点,是一种很有希望的新工艺。本文重点介绍了这种技术的
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本文简述了等离子氧化技术,这是国外近年来研究的一种低温、干法氧化工艺。它对于硅和化合物半导体的氧化有着独特的优点,是一种很有希望的新工艺。本文重点介绍了这种技术的基本原理、产生氧等离子体的几种方法、氧化工艺、氧化膜特性及在器件中的应用。
This article describes the plasma oxidation technology, which is abroad in recent years, a low-temperature, dry oxidation process. It has a unique advantage for the oxidation of silicon and compound semiconductors and is a promising new process. This article focuses on the basic principles of this technique, several methods for generating oxygen plasma, the oxidation process, the properties of the oxide film and their application in the device.
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