【摘 要】
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研究了氧化热处理对SrTiO3基环形压敏电阻电性能的影响.实验结果表明,压敏电压(V1mA)、电压指数(-)和表观电阻率(-)随温度(600～ 1 100℃)、时间、氧压的增加而上升;电容量(C)
【机 构】
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华南理工大学电子材料与元件系,信息产业部第五研究所
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研究了氧化热处理对SrTiO3基环形压敏电阻电性能的影响.实验结果表明,压敏电压(V1mA)、电压指数(-)和表观电阻率(-)随温度(600～ 1 100℃)、时间、氧压的增加而上升;电容量(C)、介质损耗(tg-)随之增加而减少;反之,则相反.由复阻抗测试和扩散机制分析认为:氧化热处理的扩散过程主要发生在晶界,电性能的变化决定于晶界扩散和晶界缺陷行为.
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