【摘 要】
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本文报道了在那些可以进行特大规模集成(ULSI)的新一代微电子工厂中目前进行的满足用户要求的改进工作。并向读者介绍我们在实验设施和操作两个方面所采取的防止硅片沾污的新
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本文报道了在那些可以进行特大规模集成(ULSI)的新一代微电子工厂中目前进行的满足用户要求的改进工作。并向读者介绍我们在实验设施和操作两个方面所采取的防止硅片沾污的新措施。此外还介绍了下一代净化间,即一级净化间,以及它跟100级和10级净化间的不同之处。
This article reports on the improvements currently being made to meet user requirements in the next generation of microelectronics fabs that can be very large-scale integrated (ULSI). And introduce readers to the new measures we have taken to prevent silicon contamination in both experimental facilities and operations. In addition, it introduces the next generation purification room, namely, the first purification room, and the difference between it and the 100 and 10 purification rooms.
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