强梯度磁场下金属熔体中析出相晶粒迁移的动力学研究

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xblxr
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
建立了梯度磁场下金属熔体中晶粒迁移的一般动力学模型,导出了磁场对导电熔体黏度的影响规律,得到了迁移速度的解析解和迁移距离的分析解.导电熔体的有效黏度随磁场强度的平方成线性递增关系.迁移速度达到终极速度的时间为10-3s数量级.终极速度随着磁场强度的增加而迅速减小,表明强磁场对晶粒迁移有抑制作用.迁移距离和迁移率与磁场分布密切相关.为观察初晶硅的迁移状况,将Al-18wt%Si合金在650℃保温60min后,施加强梯度磁场(Bz=5T,BzdBz/dz=-224T2.m-1)对熔体作用不同时间并淬火,结果表明,晶粒半径大于等于40μm的初晶硅在120s内大部分完成迁移,与理论计算符合. The general kinetic model of grain migration in metal melt under gradient magnetic field was established and the influence law of magnetic field on the viscosity of conductive melt was deduced.The analytic solution of migration velocity and analytic solution of migration distance were obtained.The effective viscosity With the square of the magnetic field strength increasing linearly.The migration velocity reaches the ultimate speed of 10-3s on the order of magnitude.The ultimate velocity decreases rapidly with the increase of the magnetic field strength.The results show that the strong magnetic field can inhibit the grain migration.The migration distance and The mobility is closely related to the magnetic field distribution. To observe the migration of primary Si, a strong gradient magnetic field (Bz = 5T, BzdBz / dz = -224T2.m-1 ) On the melt at different times and quenching, the results show that the primary crystal grain size greater than or equal to 40μm within 120s most of the migration, complete with theoretical calculations.
其他文献
为了进一步证明分层模糊系统在很好地解决了多变量模糊系统的规则数随输入变量个数指数增长的问题的同时,是否能够解决系统的参数个数随输入变量指数式的增长,推导一类二叉树
采用磁控三靶(Si,Sb及Te)共溅射法制备了Si掺杂Sb2Te3薄膜,作为对比,制备了Ge2Sb2Te5和Sb2Te3薄膜,并且采用微加工工艺制备了单元尺寸为10μm×10μm的存储器件原型来研究器
究了双频混沌信号驱动的混沌振子的广义同步和相同步问题.发现了反偏向的相同步和正偏向的广义同步,即响应振子可以优先与驱动强度弱的混沌信号达到相同步,而广义同步则先在
在设计宽带光学参变啁啾脉冲放大系统时,对色散源进行了理论分析和讨论。对光学参变啁啾脉冲放大系统的色散量以及各个过程中的高阶色散对脉冲时域和频域特性的影响进行了计
应用隧道效应所得到的能量谱计算配分函数,进而计算黑洞熵.当本结论取一级近似时,熵修正的对数项与考虑广义不确定关系对黑洞熵修正的对数项一致,然而在计算中没有不确定因子
以二乙胺为结构导向剂,在微波条件下合成了SAPO-34分子筛材料,并分别在空气和氮气氛下1073K焙烧.考察了氮气氛下分子筛表面碳改性后对材料表面及水、甲醇和乙醇吸附性能的影
为了解决负关联规则挖掘中包含负项目的频繁项集数量爆炸问题,引入过频繁项集的概念,证明过频繁项集及其所有超集均不可能产生有趣的关联规则.在频繁项集生成过程中,必须对项
用密度梯度量子模型定量研究了磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的击穿特性,考虑了复合沟道内碰撞电离以及沟道量子效应,重点研究了器件击穿电压随In0.7Ga0.3As
采用液氮冷却以及气体增压技术,制备了~30MPa及~90K初始状态的氢、氦等摩尔混合气体样品.以二级轻气炮作为加载工具,用不同灵敏度设置的两套多通道瞬态高温计系统获得完整、清
在神光Ⅱ装置上,用软X射线激光Mach-zehnder干涉仪诊断了点聚焦CH等离子体电子密度Ne分布,介绍了实验结果.通过Abel变换进行了密度反演,给出了Ne的2D分布,测得的最高Ne为3.2