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采用MOCVD方法在(0001)蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaN PIN紫外探测器。介绍了器件的制备工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明:器件的正向开启电压约为4.6V,零偏动态电阻约为1012～1013Ω；常温下,该器件在10 V反向偏压下的暗电流约为15nA,响应峰值波长为275 nm,日盲区/可见盲区响应比接近103。