论文部分内容阅读
随着硅基CMOS工艺特征尺寸不断降低,提高CMOS器件工作速度的同时也降低了器件的功率驱动能力。以硅基CMOS工艺实现功率放大器需要以功率合成方式进行。片上集成变压器在功率合成方面应用广泛,由于缺乏合适的模型,因此在设计功率合成电路时难以对变压器进行优化设计。文章提出了一种基于空间映射神经网络技术的片上集成变压器神经网络模型,模型结合等效电路和径向基神经网络。实验结果表明该模型能够快速给出不同几何参数变压器的S参数的同时具有非常高的精度。