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CRT具有颜色逼真、分辨率高、技术成熟等优点，为了克服其体积大、笨重的不足，增加电子束偏转角度已经成为CRT的发展趋势。本文对超大偏转角的偏转线圈进行了理论研究，优化了线圈绕线分布和校正磁铁位置，减小光栅畸变和会聚误差。最后本文得到超大偏转线圈工作特性的理论极限。该研究结果可为超大偏转角CRT的研发提供理论指导。