【摘 要】
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测试了采用熔体法通过使用异质同构的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3籽晶生长出的Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3单晶的铁电、压电性能的温度稳定性.研究结果发现,<001>取向的PIN-PT单晶
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金，国家自然科学基金
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测试了采用熔体法通过使用异质同构的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3籽晶生长出的Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3单晶的铁电、压电性能的温度稳定性.研究结果发现,<001>取向的PIN-PT单晶不但具有非常优越的铁电、压电性能,其室温电容率ε达5000左右,介电损耗因子tgδ～1%,k33值最大可达到95%,d33值最大可达到3000pC/N左右.而且具有很高的温度稳定性,即使测试温度超过150℃,k33值也只下降不到10%研究结果表明,该晶体是继PMN-PT和PZN-
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