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本文利用俄歇电子能谱仪（ＡＥＳ）研究了高压铝阳极氧化膜不同深度的氧铝比，发现不同深度上偏离Ａ１２Ｏ３化学计量比是其介电性能劣化的原因。查明不同深度的形成技术条件，通过研究恒压下不同形成电汉时的最终电汉及三相交流形成后直流形成的Ｏ／Ａ１比，结果发现成膜速度太快和形成中氧化不足是现阶段阳极氧化膜Ｏ／Ａ１偏离的主要原因，针对氧铝比偏离１．５的多少对原形成条件作出相应调整，使铝阳极氧化 介电特笥得以优化。