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采用射频磁控共溅射的方法制备出ZnO：Al薄膜,以NO和O2为源气体（V（O2）/V（O2＋NO）=75%）,采用等离子体浸没离子注入（PⅢ）方法对薄膜进行注入得到ZnO：Al：N薄膜,注入剂量为2.23×1015 cm-2,并在N2氛围下对样品进行了不同温度的退火处理.通过XRD图谱、霍尔效应（Hall）测试结果、紫外-可见光透射光谱等对样品的结构和性能进行了分析,着重研究了退火温度对ZnO：Al：N薄膜性质的影响.结果表明,退火可以使注入产生的ZnO（N2）3团簇分解,并且使N以替位O的方式