【摘 要】
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用磁控溅射法在Si(111)基片上以不同溅射功率沉积LaNiO3(LNO)薄膜,基片温度370 ℃,对沉积的薄膜样品进行快速热退火处理(500 ℃,10 min).使用电感耦合等离子体原子发射光谱(I
【机 构】
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南昌大学,南昌大学,南昌大学,中国科学院
【基金项目】
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国家重点实验室基金，南昌大学校科研和教改项目
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用磁控溅射法在Si(111)基片上以不同溅射功率沉积LaNiO3(LNO)薄膜,基片温度370 ℃,对沉积的薄膜样品进行快速热退火处理(500 ℃,10 min).使用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)精确测量不同溅射功率沉积的LNO薄膜退火前后的组分情况.分析发现:LNO薄膜经退火处理后,其中的Ni/La的比值随着溅射功率增大而越接近理想比1:1,其导电性能也越好.另外,我们以相同工艺制备了不同厚度的LNO薄膜顶电极,四探针电阻测试仪和红外椭圆偏振光谱仪测试其电学与红外吸收性能,实验发现:(
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