【摘 要】
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以半导体纳米材料CdSe/ZnS作为发光层,ZnO作为电子传输层,用Al和氧化铟锡（ITO）分别作为两极材料,采用旋涂和真空蒸镀膜技术制备半导体发光二极管,并对其光学性质进行表征.结果
【机 构】
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吉林化工学院化学与制药工程学院,吉林大学化学学院
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以半导体纳米材料CdSe/ZnS作为发光层,ZnO作为电子传输层,用Al和氧化铟锡（ITO）分别作为两极材料,采用旋涂和真空蒸镀膜技术制备半导体发光二极管,并对其光学性质进行表征.结果表明：该器件发射黄光,峰位为575nm,半峰宽30nm,最大发光强度2 000cd/m^2;在较高的电流密度下,该器件的电致发光效率无明显衰减;当半导体纳米材料CdSe/ZnS及ZnO分别作为发光层和电子传输层时,可制备具有高电流密度且稳定的发光二极管主体材料.
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