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采用N2O和NH3等离子钝化技术对多晶硅薄膜表面和栅氧表面进行了钝化处理。实验结果表明，该技术能够有效降低多晶硅薄膜的界面态密度，提高多晶硅薄膜晶体管性能。二次离子质谱仪分析表明在p-Si/SiO2界面有氮原子富积，说明生成了强的Si-N键。
多晶硅薄膜晶体管的表面氮钝化技术
【摘 要】
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采用N2O和NH3等离子钝化技术对多晶硅薄膜表面和栅氧表面进行了钝化处理。实验结果表明，该技术能够有效降低多晶硅薄膜的界面态密度，提高多晶硅薄膜晶体管性能。二次离子质谱仪
【机 构】
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华中科技大学电子科学与技术系,香港科技大学电气与电子工程系
【出 处】
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压电与声光
【发表日期】
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2001年2期
【基金项目】
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香港科技大学校科研和教改项目
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