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基于通信系统中射频电路设计的特殊要求，对小尺寸（基区宽度低于100nm）、超高频（特征频率高于15GHz）双极晶体管工艺制程和器件的物理特性进行了模拟，为工艺线流片进行可行性研究。该器件采用BiCMOS制程结构实现，在对小尺寸、超高频双极性器件物理模型进行详尽分析的基础上，实现了该器件工艺级（Sentaurus Process）及器件物理特性级（Sentaurus Device）的仿真，提出TCAD工艺及器件的一体化设计方案。模拟结果表明，在高频指标参数17GHz下，所得届值接近于80，满足设计要求。