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基于0.5 μm工艺,设计了一个工作频率在1.8 GHz,相位噪声在偏移量为500 kHz时小于-100 dBc/Hz的压控振荡器(VCO).并将一个普通的压控MOS变容管改进为只工作在反型区的压控MOS变容管.将这两种MOS电容分别应用到该VCO电路中.结果表明,采用反型模式压控MOS变容管的VCO电路具有更大的调谐范围,调谐曲线由之前的反复变化变为单调变化,并且对电路的相位噪声也起到了抑制作用.