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用半绝缘砷化镓（SI-GaAs）材料制备了太赫兹（THz）光导天线和天线阵列,其电极间隙分别为50μm、100μm、150μm。用THz时域光谱系统（THz-Time domain system）测试和比较了三种不同电极间隙天线的THz辐射性能,研究了电极间隙的大小对光导天线辐射THz性能影响。实验表明相同衬底材料、几何结构和制作工艺的天线,辐射出的THz电磁波的频谱基本相同,与电极间隙无关;光导天线THz电磁波远场辐射强度与外加偏置电场和天线的有效辐射面积成正比。光导天线阵列在相同的偏置电场以及相同激光