【摘 要】
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以电火花线切割的单晶硅为研究对象,建立了传热学数学模型,利用ANSYS仿真软件进行模拟计算,得到了放电区域的瞬态温度场和应力场分布。对电火花线切割后的硅片表面沿纵向进行
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以电火花线切割的单晶硅为研究对象,建立了传热学数学模型,利用ANSYS仿真软件进行模拟计算,得到了放电区域的瞬态温度场和应力场分布。对电火花线切割后的硅片表面沿纵向进行了分层择优腐蚀试验,观察腐蚀表面形貌沿纵向的变化情况,确定了变质层厚度,总结出了放电参数对硅片表面变质层厚度的影响规律,并与模拟计算结果进行了对比,证明了所建模型的正确性。研究结果表明：放电电压和脉冲宽度是影响变质层厚度的主要因素;出现在变质层中的裂纹会随着放电能量的增加而急剧扩展,能量增大到一定程度后可扩展至晶体区,可以认为此时裂纹的深度
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