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通过半导体材料的磁光效应可实现光子晶体的磁场调控.本文提出在含有缺陷层的一维光子晶体表面添加具有Voigt效应的磁光半导体表面层,并采用传输矩阵法计算了不同参数下该结构的光学性能.计算结果表明,在合适的结构参数与材料参数下,可实现表面模与缺陷模之间耦合程度的磁场相关性,从而获得由磁场调控的缺陷模透射率与吸收率.