【摘 要】
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本文给出了硅双栅 MOSFET 的直流特性、频率特性和噪声特性模型;设计并制作出以多晶硅作为栅极的硅双栅 MOSFET—LF142,测试表明:器件性能均达到设计指标,与国外同类产品水平
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本文给出了硅双栅 MOSFET 的直流特性、频率特性和噪声特性模型;设计并制作出以多晶硅作为栅极的硅双栅 MOSFET—LF142,测试表明:器件性能均达到设计指标,与国外同类产品水平相当。
In this paper, the DC characteristics, frequency characteristics and noise characteristics of silicon double-gate MOSFET are given. The silicon double-gate MOSFET-LF142 with polysilicon as gate is designed and fabricated. The test results show that the device performance meets the design specifications, The same level.
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