三功能新型晶体管

来源 :激光与光电子学进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tingyuanzhu
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冲电气工业公司研制成一种兼备发光、接收、放大三种功能的GaAs双极晶体管。该元件长320微米、宽530微米、厚6微米,在掺杂Si的n-GaAs衬底上用连续液相外延生长法层迭集电极、基极、宽发射极和发射极各层。由于增大电流放大率时,用于发光的基极电流减少,发光效率下降,因此将掺杂Si的GaAs在高温 OKI has developed a GaAs bipolar transistor that combines three functions: light emitting, receiving and amplifying. The device is 320 μm long, 530 μm wide and 6 μm thick. The collector, base, wide emitter and emitter layers are stacked by continuous liquid phase epitaxial growth on Si-doped n-GaAs substrates. When the current amplification factor is increased, the base current for light emission decreases and the light emission efficiency decreases. Therefore, the Si-doped GaAs is diffused at a high temperature
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